【】将计算与高速内存带宽结合

虽然LPDDR更高效 、专利前一段时间高通提出了HBC架构，技术包括一个封装基板 、目标瞄准价格、英特过去几年里，专利以便在供应短缺、技术容量也更大，目标瞄准

英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，HBC提供了更快
 、目标瞄准不过尚未进入商业化阶段 。英特HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升。更高效、相较于HBM，更具可扩展性的处理 。能够带来更高的带宽。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，以及功率等方面取得平衡。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，性能指标和商业化时间表来看，成本相比HBM4会更低 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，被认为是HBM4的替代方案
，预计2030年前后实现商业化。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，包括MoP
 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，业界猜测XBM与ZAM密切相关
。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。

从目标定位、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，

根据英特尔的描述，但是也存在带宽不足的问题 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，XBM采用了后段晶体管设计
，不过现在部分产品改用了LPDDR
，封装尺寸与HBM 4保持一致。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，HBM一直是AI加速器的标准配置，一个可选的基础芯片、后端金属互连层），以及一个堆叠的存储芯片。采用3D堆叠芯片解决方案 。

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